IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N06S5L073ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7N034ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUCN08S7N034ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $1,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS™ 7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 60 A —
On-Resistance RDS(on) max 7.3 mΩ —
Total Gate Charge (QG) 17.4 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Technology Trench (OptiMOS 5) —
Número de pinos 8 —
Configuration Single N-Channel —
Qualification AEC-Q101 automotive grade —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL 1 (unlimited floor life)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 3.4 mΩ
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.2 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.27 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.115 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 23 pF
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 118 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101

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