IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S6N013TATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7L042GATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S6N013TATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $1.66
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
パッケージ PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-LHDSO-10-1 (SSO10T)
実装タイプ Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C (Tj) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 —
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 230 A at T<sub>C</sub>
R<sub>DS(on)</sub> (max) — 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 133 W at T<sub>C</sub>
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.6 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.08 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.7 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 51 pF
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101

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