IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S6N013TATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L042GATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S6N013TATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.86 $1.66
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
패키지 PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-LHDSO-10-1 (SSO10T)
실장 유형 Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +175C (Tj) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 —
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 230 A at T<sub>C</sub>
R<sub>DS(on)</sub> (max) — 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 133 W at T<sub>C</sub>
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.6 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.08 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.7 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 51 pF
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101

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