IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7L042GATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 40V OptiMOS 7
Technology Trench N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A 147 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
パッケージ PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 —
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

データシート&リソース

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