IAUCN04S7N012ATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N012ATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N04S4L08ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N012ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.18 $0.89
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-7 (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Transistor Grade Automotive (AEC-Q101) —
消費電力(Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] —
RoHS ステータス Compliant —
ハロゲンフリー Yes —
MSLレベル 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Polarity N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
動作温度 — -55°C to +175°C
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

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