IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N015GATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N027GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.21 $0.72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
パッケージ PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount —
動作接合温度 -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
実装タイプ Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL]
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
パッケージ / ケース — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

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