IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N019DATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N027GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.05 $0.72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 7 40V —
Configuration Dual N-Channel (array) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 160 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
パッケージ PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55 C to +175 C —
Input Capacitance (Ciss, typ.) 1.465 nF —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg]
Automotive Qualification AEC-Q101 (family) —
ESD Protection Yes (gate integrated) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) [DATA_NEEDED: MSL]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
パッケージ / ケース — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

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