IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N019DATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S7N019DATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,05 | $0,72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 7 40V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (array) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 160 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +175 C | — |
| Input Capacitance (Ciss, typ.) | 1.465 nF | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family) | — |
| ESD Protection | Yes (gate integrated) | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |