IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN10S7N074ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N06S5L015ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN10S7N074ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.92
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
パッケージ PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
ピン数 8 (with exposed pad) —
MSLレベル MSL2 (1 year) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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