IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IAUC100N04S6L014ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUT300N08S5N011ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6L014ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.40 $0.72
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 410 A (Tj) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max 1.10 mOhm at V_GS=10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.8 V [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_g) 231 nC at V_GS=10 V —
Input Capacitance (C_iss) 16.25 nF —
Output Capacitance (C_oss) 2.6 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 130 pF —
Power Dissipation (P_D) 375 W at T_C=25C —
動作温度範囲 -55C to +175C -55C to +175C
パッケージ PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 1
Qualification Automotive (AEC-Q101) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — IAUC / OptiMOS 6 40V
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 100 A
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G typical]
Power Dissipation (P_D, Tc) — 100 W
AEC-Q101 Qualification — Yes
RoHS ステータス — Compliant
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix)

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