IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUT300N08S5N012ATMA2 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ 生産中
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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUC60N04S6N031HATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $0.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +175 °C (Tj)
パッケージ PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
ピン数 — 8
RoHS ステータス — Compliant

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