IAUT300N10S5N015ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUT300N10S5N015ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6L020ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.10 $0.86
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
RDS(on) (typ, VGS=10V) 1.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
動作温度範囲 -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (TJ)
パッケージ PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSLレベル MSL1 (260°C peak reflow) —
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Polarity N-Channel —
Mode of Operation Enhancement-mode —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)
RoHS ステータス — Compliant

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