IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUTN04S7N004ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6L030HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUTN04S7N004ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.05 $0.94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A —
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
動作温度範囲 -55C to +175C —
パッケージ PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity N-Channel —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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