IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUZ30N06S5L140ATMA1 メーカー: Infineon および IPD031N06L3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUZ30N06S5L140ATMA1 | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.96 | $0.48 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 30 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 33 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 14 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.2 V (typ) | 1.0 V to 2.2 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 888 pF @ VDS=30 V | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作接合温度 | -55°C to +175°C | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified | — |
| Gate-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (RoHS compliant) | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 167 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| 動作温度範囲 | — | -55°C to +175°C |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| MSLレベル | — | 1 (Unlimited) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |