IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ30N06S5L140ATMA1 por Infineon e IPD031N06L3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ30N06S5L140ATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,96 $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 33 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 14 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V (typ) 1.0 V to 2.2 V
Total Gate Charge (Qg) 12.2 nC @ VGS=10 V —
Output Capacitance (Coss) 888 pF @ VDS=30 V —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Technology Family OptiMOS 5 —
Automotive Grade AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage Max ±20 V —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Series — OptiMOS 3
Nível MSL — 1 (Unlimited)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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