IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZ30N08S5N186ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6N028ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.42
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (automotive) -55 °C to +175 °C
パッケージ PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6 40V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Automotive Qualified — Yes

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