IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZ30N08S5N186ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N06S5L073ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.41
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) Trench (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (automotive) -55C to +175C
パッケージ PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
ピン数 — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼