IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB017N10N5LFATMA1 メーカー: Infineon および IPB020N10N5LFATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 176A 2mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPB017N10N5LFATMA1 | IPB020N10N5LFATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.05 | $2.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 180 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C | 313 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V | 1.7 mΩ (max) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| パッケージ / ケース | PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 1 (unlimited) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Linear-Mode (SOA) Optimized | Yes (OptiMOS Linear FET) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Linear FET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 176 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 289 A |
| Package-Limited Drain Current | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | — | 10.2 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 313 W |
| パッケージ | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Marking Code | — | 020N10LF |