IPB072N15N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB072N15N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPB107N20N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB072N15N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.84 $1.18
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
動作温度範囲 -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D2PAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 88 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
ピン数 — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

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