IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPB120P04P4L03ATMA2 メーカー: Infineon および IPD90P04P4L04ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ 生産中
Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB120P04P4L03ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.74 $1.22
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant (per Infineon product page) Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
ピン数 — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼