IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB120P04P4L03ATMA2 제조: Infineon 및 IPD90P04P4L04ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPB120P04P4L03ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.74 $1.22
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant (per Infineon product page) Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
동작 온도 범위 — -55 C to +175 C
핀 수 — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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