IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB60R040CFD7ATMA1 メーカー: Infineon および IPB037N06N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPB037N06N3GATMA1 - 60V 90A 3.7mOhm OptiMOS 3 N-MOSFET D2PAK | Infineon
IPB037N06N3GATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPB037N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.19 | $1.41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| 消費電力（TC=25°C） | 227 W | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +150°C | -55 C to +175 C (junction) |
| パッケージ | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| MSLレベル | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| Part Number | — | IPB037N06N3GATMA1 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 3.7 mOhm at VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 188 W |
| パッケージ / ケース | — | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: gate charge value] |
| Drain Tab Connection | — | Tab electrically tied to drain |