IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPC70N04S5L4R2ATMA1 メーカー: Infineon および IPD90N04S403ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 ✓ 生産中
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IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $1.05
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% (60 A production test) 100% avalanche-tested
RoHS ステータス Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
動作接合温度 — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

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