IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC70N04S5L4R2ATMA1 por Infineon e IPD90N04S403ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,05
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% (60 A production test) 100% avalanche-tested
Status RoHS Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

Fichas técnicas e recursos

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