IPD031N06L3GATMA1 vs IRLR8726TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IPD031N06L3GATMA1 メーカー: Infineon および IRLR8726TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPD031N06L3GATMA1 IRLR8726TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.36
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
動作温度範囲 -55°C to +175°C —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
MSLレベル 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging)
RoHS ステータス Compliant —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 86 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 5.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
動作接合温度 — -55C to +175C
Technology Family — StrongIRFET
RoHS Compliance — ROHS3 Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

データシート&リソース

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