IPD034N06N3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD034N06N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPD30N10S3L34ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD034N06N3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.51 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free green finish) —
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T2
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
動作接合温度 — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼