IPD034N06N3GATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD034N06N3GATMA1 メーカー: Infineon および ISC080N10NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ 生産中
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ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD034N06N3GATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.51 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 75 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
RoHS ステータス Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

データシート&リソース

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