IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0901NSATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD082N10N3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC0901NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPD082N10N3GATMA1 BSC0901NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.14 $0.78
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
動作接合温度 -55°C to +175°C —
パッケージ / ケース PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
動作温度範囲 — -55C to +150C
パッケージ — TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
湿気感度レベル(MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

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