IPD090N03LGATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD090N03LGATMA1 メーカー: Infineon および IPD90N03S4L02ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD090N03LGATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.58
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 40 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Id] —
Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 42 W —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A 9 mOhm (typical) —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) —
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
RoHS ステータス Compliant Compliant (Green Package)
Technology Family OptiMOS 30V —
Configuration Single —
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
RDS(on) Max at VGS=10 V — 2.2 mΩ
RDS(on) Max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V]
Gate Drive Voltage (VGS) — 4.5 V to 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical value]
動作接合温度 — -55°C to +175°C
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Series — OptiMOS-T2

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