IPD5N25S3430ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD5N25S3430ATMA1 メーカー: Infineon および IPD50N04S408ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD5N25S3430ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 ✓ 生産中
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD5N25S3430ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.39 $0.69
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3-313 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS ステータス ROHS3 Compliant —
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 °C peak reflow)
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

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