IPD5N25S3430ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD5N25S3430ATMA1 от Infineon и IPD50N04S408ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD5N25S3430ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD5N25S3430ATMA1 | IPD50N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,39 | $0,69 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (planar-trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 20 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 430 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V typ / 4 V max | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 422 pF typical | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 41 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Статус RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Lead Finish | Matte Tin (lead-free) | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Configuration | Single, 3-pin (2+Tab) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (V DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | — | 50 A |
| Power Dissipation (P D, Tc) | — | 46 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche tested |
| Green Package (RoHS) | — | RoHS compliant |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] |
| On-State Resistance (R DS(on)) | — | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] |
| Total Gate Charge (Q G) | — | [DATA_NEEDED: Q G typical] |