IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 比較

詳細な並列比較: IPD600N25N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPD60R600PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 ✓ 生産中
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IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD600N25N3GATMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.84 $0.45
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
ゲートしきい値電圧 [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
ハロゲンフリー Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
動作温度 — -55°C to +150°C (Tj)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス — Compliant
Reel Quantity — 2500

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