IPD60R385CPATMA1 vs IPD50R380CEAUMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R385CPATMA1 メーカー: Infineon および IPD50R380CEAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R385CPATMA1 IPD50R380CEAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $0.34
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V 500 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
動作接合温度 -55 °C to +150 °C -55C to +150C
パッケージ / ケース PG-TO252-3 (DPAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 14.1 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 380 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 98 W
Technology — CoolMOS CE (super-junction)
Channel Type — N-Channel
パッケージ — PG-TO252-3 (DPAK)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

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