IPD60R385CPATMA1 vs IPD50R380CEAUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD60R385CPATMA1 от Infineon и IPD50R380CEAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CEAUMA1 - 500V CoolMOS CE 380mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPD50R380CEAUMA1 - 500V CoolMOS CE 380mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPD50R380CEAUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD60R385CPATMA1 IPD50R380CEAUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,42 $0,34
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V 500 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Рабочая температура перехода -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Корпус / Типоразмер PG-TO252-3 (DPAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 14.1 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 380 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 98 W
Technology — CoolMOS CE (super-junction)
Channel Type — N-Channel
Корпус — PG-TO252-3 (DPAK)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену