IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG16N10S461AATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N06S2L65AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 ✓ 生産中
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IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG16N10S461AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A 20 A (per channel)
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (peak reflow 260 C)
RoHS ステータス Compliant Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
Series — OptiMOS
FET Type — Dual N-Channel (Half Bridge / Independent)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Power Dissipation (PD) — 43 W
Gate Threshold (VGS(th)) — Logic-Level
動作温度 — -55 C to +175 C
AEC-Q101 Qualification — Yes
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (wettable flank)

データシート&リソース

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