IPG20N04S4L08AATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N04S4L08AATMA1 メーカー: Infineon および IPC50N04S5L5R5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 ✓ 生産中
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IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon

IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon

IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N04S4L08AATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.66 $0.36
FET Type Dual N-Channel —
Technology OptiMOS-T2 (Logic Level) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 20 A (per channel) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ 1.7 V —
Gate Drive (Logic Level) 4.5 V —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 54 W —
動作接合温度 -55°C to +175°C —
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Yes Qualified (automotive grade)
Peak Reflow Temperature 260°C 260 °C
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
RoHS / REACH Compliant (Green Product) RoHS Compliant (Green Product)
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested

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