IPG20N06S4L14AATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N06S4L14AATMA1 メーカー: Infineon および BSC076N06NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ 生産中
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC076N06NS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N06S4L14AATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N06S4L14AATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 50 W —
RDS(on) at VGS=10V 13.7 mΩ typical —
RDS(on) at VGS=4.5V 14 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Logic-Level Gate Drive Yes —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (junction) -55C to +150C
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Technology OptiMOS™ Trench N-Channel Trench MOSFET
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
MSLレベル — 1 (unlimited)
ハロゲンフリー — Yes (per Infineon product page)

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