IPG20N10S4L35ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 比較
詳細な並列比較: IPG20N10S4L35ATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N06S2L65AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPG20N10S4L35ATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.66 | $0.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPG20N10S4L35ATMA1 | — |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | 20 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 43 W | — |
| 動作温度 | 175°C max junction | -55 C to +175 C |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ / ケース | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| MSLレベル | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| Series | OptiMOS™, Automotive | OptiMOS |
| RoHS ステータス | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche Tested | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| Technology | — | OptiMOS Trench MOSFET |
| パッケージ | — | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |