IPL60R065C7AUMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 比較
詳細な並列比較: IPL60R065C7AUMA1 メーカー: Infineon および IPW60R037P7XKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPL60R065C7AUMA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.95 | $3.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS™ P7 |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Process Technology | CoolMOS C7 (Superjunction) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 29 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) | 65 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) | 180 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS, max) | ±20 V | — |
| Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) | 3.5 V | — |
| パッケージ / ケース | PG-VSON-4-1 (Source-Down) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Through Hole |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +150 °C (T_J) | — |
| RoHS ステータス | Compliant with Exemption | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | No | — |
| Total Gate Charge (Q_G, typ.) | [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] | — |
| Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) | [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] | — |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| パッケージ | — | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| 動作接合温度 | — | -55 °C to +150 °C |
| Technology | — | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |