IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R125P7AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPL60R105P7AUMA1 メーカー: Infineon および IPL60R125P7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 MOSFET 125mΩ 27A | Infineon

IPL60R125P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 MOSFET 125mΩ 27A | Infineon

IPL60R125P7AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPL60R105P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $1.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
動作温度範囲 -55C to +150C —
パッケージ PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
Lead-Free Yes —
Product Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 27 A
On-State Resistance RDS(on) max — 125 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — 36 nC
Total Gate Charge Qg (typ) — 36 nC
Output Capacitance Coss (typ) — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ — 3.5 V
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
動作接合温度 — -55 C to +150 C
湿気感度レベル(MSL) — MSL 2 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Configuration — Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2

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