IPT015N10NF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 比較
詳細な並列比較: IPT015N10NF2SATMA1 メーカー: Infineon および ISC028N03LF2SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPT015N10NF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.10 | $0.86 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | — |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| 単一パルスアバランシェエネルギー | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| 動作接合温度 | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |
| MSLレベル | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |