IPT015N10NF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon e ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT015N10NF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement —
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Energia de avalanche de pulso único [DATA_NEEDED: EAS value] —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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