IQD005N04NM6CGATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IQD005N04NM6CGATMA1 メーカー: Infineon および BSC093N15NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQD005N04NM6CGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.62 $1.83
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 6 (trench FET) OptiMOS 5 150V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RDS(on) Typical 0.5 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 58 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 610 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 333 W —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (TJ) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 9 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Source Configuration Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
ハロゲンフリー — [DATA_NEEDED: halogen free status]

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