IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPC90N04S5L3R3ATMA1 比較

詳細な並列比較: IQE220N15NM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon および IPC90N04S5L3R3ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ 生産中
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IPC90N04S5L3R3ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQE220N15NM5CGSCATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.18 $0.96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 40 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V —
パッケージ PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
RoHS ステータス Compliant —
Product Family — OptiMOS 5 40V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.3 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.7 V to 2.7 V (logic level)
Total Power Dissipation (TC=25°C) — 62 W
動作接合温度 — -55°C to +175°C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temp range]
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Peak Reflow Temperature — 260°C
Qualification — AEC-Q101 automotive qualified
Avalanche Tested — 100% (production-level)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

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