IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 比較

詳細な並列比較: IQEH84NE2LM7UCGATMA1 メーカー: Infineon および IQDH88N06LM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 ✓ 生産中
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IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $2.31
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 7 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 107 W —
RDS(on) @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] 9 (with exposed pad)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Switching Application Hard- and soft-switching —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
連続ドレイン電流(TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
消費電力(TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
動作温度範囲 — -55°C to +175°C (TJ)
Cooling — Dual-side cooling capable
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

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