IR2304SPBF vs IR2109STRPBF 比較

詳細な並列比較: IR2304SPBF メーカー: Infineon および IR2109STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IR2109STRPBF IR2109STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109STRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IR2304SPBF IR2109STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.61
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
出力数 2 2 (High-Side / Low-Side)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
パッケージ 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-SOIC (3.90 mm Width)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) Compliant
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Bootstrap Diode — Integrated
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
動作温度 — -40 C to +125 C

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