IRF540NSTRLPBF vs IRF520NPBF 比較

詳細な並列比較: IRF540NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRF520NPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF540NSTRLPBF IRF520NPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.66
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (vertical DMOS)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55C to +175C
パッケージ D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole)
実装タイプ Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free)
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
MSLレベル — 1 (unlimited)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼