IRF540ZPBF vs IRF3710ZPBF 比較

詳細な並列比較: IRF540ZPBF メーカー: Infineon および IRF3710ZPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF540ZPBF IRF3710ZPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.88
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF540ZPBF —
Technology HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) HEXFET (Advanced Process)
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 36 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 26.5 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 42 nC —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C 92 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
動作接合温度範囲 -55 C to +175 C —
パッケージ TO-220AB (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole, 3 pins)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes Yes
Automotive Qualified Yes (per datasheet description) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 59 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 160 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 18 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC (typical)
Maximum Junction Operating Temperature — 175 C
Gate Drive Voltage (Optimized) — 10 V
Pin Configuration — G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220)
Qualification Standard — JEDEC, Normal Level

データシート&リソース

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