IRF7105TRPBF vs IRF7105PBF 比較

詳細な並列比較: IRF7105TRPBF メーカー: Infineon および IRF7105PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7105TRPBF IRF7105PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.30 $0.61
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (Fifth Generation)
パッケージ 8-SO (SOIC-8) —
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction temperature range] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
ピン数 8 8
Part Number — IRF7105PBF
FET Type — N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
パッケージ / ケース — 8-SOIC (SO-8)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
RoHS Compliance — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Qualification — Industrial
Soldering Compatibility — Vapor Phase, Infrared, Wave
dv/dt Rating — Dynamic (rated per datasheet)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼