IRF7205TRPBF vs IRF7342TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7205TRPBF メーカー: Infineon および IRF7342TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7205TRPBF IRF7342TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.18 $0.48
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
消費電力(TC=25°C) 2.5 W —
動作接合温度 -55 °C to +150 °C —
パッケージ SO-8 (8-SO) 8-SOIC (SO-8), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape and Reel (TR)
Part Number — IRF7342TRPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Configuration — Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
動作温度範囲 — -55 C to +150 C (Tj)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

データシート&リソース

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